パワー半導体研究開発エンジニア

Fuji Electric

研究職

ハードウェア

電気設計

柔軟な働き方

大企業

この求人について

富士電機の先端技術研究所・次世代半導体研究センターに所属し、パワー半導体の基礎研究を行うポジションです。車載や産業用途を見据え、SiCやGaNなど次世代材料によるパワーデバイスを扱います。

担当は経験に合わせて決まります。物性解析では電気特性の評価や分析、第一原理計算を用いて、デバイスの動作やプロセスの仕組みを材料の性質から明らかにします。プロセス開発では特性向上につながる先端プロセスを提案し、改善の方向性を固めます。デバイス設計・試作・評価では構造検討から試作、電気特性や信頼性の評価までを行います。最初は研究テーマの一部から始め、徐々に担当テーマを広げ、将来はチームをまとめる役割も期待されています。

大学または大学院卒で、材料物性解析・分析評価の経験か、SiC・GaNのデバイスプロセスやパワー半導体の研究開発経験のどちらかが必要です。第二新卒相当なら学生時代の研究経験だけでも応募できます。

これは企業の公式求人情報をもとにAIで作成した要約です。情報が不完全、古い、または誤っている可能性があります。応募前に必ず公式の求人情報ですべての内容をご確認ください。